SAMSUNG SSD 990 PRO 1TB (MZ-V9P1T0BW) PCIE GEN 4X4, NVME 2.0 M.2 (2280) / 5 AÑOS
Samsung 990 PRO. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC
- Memoria caché DDR externa: Si
- Cantidad de memoria caché DDR externa: 1024 MB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- SSD: 1 TB
- Interfaz: PCI Express 4.0
- Tipo de memoria: V-NAND MLC
- NVMe: Si
- Componente para: PC
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 7450 MB/s
- Velocidad de escritura: 6900 MB/s
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Lectura aleatoria (4KB): 1200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 1550000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Versión NVMe: 2.0
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Función DevSleep: Si
- Ancho: 80 mm
- Profundidad: 2,3 mm
- Altura: 22 mm
- Peso: 9 g
- Consumo de energía (promedio): 5,4 W
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo de energía (max): 7,8 W
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Vibración operativa: 1500 G
- Máxima temperatura: 70 °C
- Tipo de embalaje: Caja
- Memoria caché DDR externa: Si
- Cantidad de memoria caché DDR externa: 1024 MB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- SSD: 1 TB
- Interfaz: PCI Express 4.0
- Tipo de memoria: V-NAND MLC
- NVMe: Si
- Componente para: PC
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 7450 MB/s
- Velocidad de escritura: 6900 MB/s
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Lectura aleatoria (4KB): 1200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 1550000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Versión NVMe: 2.0
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- Soporte TRIM: Si
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- Profundidad: 2,3 mm
- Altura: 22 mm
- Peso: 9 g
- Consumo de energía (promedio): 5,4 W
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo de energía (max): 7,8 W
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